| 型号：IPB60R385CP | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 650V 9A TO-263 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 9A TO-263 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 385 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3.5V @ 340µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 22nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 790pF @ 100V |
| 功率_最大 | 83W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市晶美隆科技有限公司 | 李林0755- 82519391 0755-83209630 |
| 深圳市鹏顺兴科技有限公司 | 谭小姐0755-23063133/83238712 |
| 深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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